Справочник транзисторов. MRF237

 

Биполярный транзистор MRF237 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MRF237
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.64 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
   Корпус транзистора: TO39
 

 Аналог (замена) для MRF237

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF237 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:241K  hgsemi
 mrf235.pdf pdf_icon

MRF237

HG RF POWER TRANSISTORMRF235SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORNPN Silicon RF power transistor MRF235Description: MRF235 is designed for 12.5V, mid-band large signal amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operation in the 40-100MHz range. Mid band FM transistors. Features: Specified 12.5V, 90MHz characteristics Output Powe

Другие транзисторы... MRF226 , MRF227 , MRF229 , MRF230 , MRF231 , MRF232 , MRF233 , MRF234 , 2SD1555 , MRF238 , MRF243 , MRF244 , MRF245 , MRF304 , MRF305 , MRF306 , MRF309 .

 

 
Back to Top

 


 
.