MRF237 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF237

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.64 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TO39

 Аналоги (замена) для MRF237

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF237 даташит

 9.1. Size:241K  hgsemi
 mrf235.pdf pdf_icon

MRF237

HG RF POWER TRANSISTOR MRF235 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR NPN Silicon RF power transistor MRF235 Description MRF235 is designed for 12.5V, mid-band large signal amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operation in the 40-100MHz range. Mid band FM transistors. Features Specified 12.5V, 90MHz characteristics Output Powe

Другие транзисторы: MRF226, MRF227, MRF229, MRF230, MRF231, MRF232, MRF233, MRF234, S9018, MRF238, MRF243, MRF244, MRF245, MRF304, MRF305, MRF306, MRF309