MRF450 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: MRF450
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 115 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10
Корпус транзистора: M174
Аналоги (замена) для MRF450
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
MRF450 даташит
mrf450a.pdf
HG RF POWER TRANSISTOR MRF450A Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR Note Above parameters , ratings , limits and conditions are subject to change. Sep. 1998 www.HGSemi.com HG RF POWER TRANSISTOR MRF450A Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR Note Above parameters , ratings , limits and conditions are subject to change. Sep. 19
mrf454re.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF454/D The RF Line NPN Silicon MRF454 RF Power Transistor Designed for power amplifier applications in industrial, commercial and amateur radio equipment to 30 MHz. Specified 12.5 Volt, 30 MHz Characteristics Output Power = 80 Watts 80 W, 30 MHz Minimum Gain = 12 dB RF POWER Efficiency = 50% TRANSISTOR NPN S
mrf455re.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF455/D The RF Line NPN Silicon MRF455 RF Power Transistor . . . designed for power amplifier applications in industrial, commercial and amateur radio equipment to 30 MHz. Specified 12.5 Volt, 30 MHz Characteristics Output Power = 60 Watts 60 W, 30 MHz Minimum Gain = 13 dB RF POWER Efficiency = 55% TRANSISTOR
mrf454rev1.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF454/D The RF Line NPN Silicon MRF454 RF Power Transistor Designed for power amplifier applications in industrial, commercial and amateur radio equipment to 30 MHz. Specified 12.5 Volt, 30 MHz Characteristics Output Power = 80 Watts 80 W, 30 MHz Minimum Gain = 12 dB RF POWER Efficiency = 50% TRANSISTOR NPN S
Другие транзисторы: MRF422, MRF426, MRF427, MRF428, MRF432, MRF433, MRF4427, MRF449, 2N3906, MRF452, MRF453, MRF454, MRF455, MRF458, MRF460, MRF463, MRF464
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1116a | 2sc460 | 2sc869 datasheet | k3568 datasheet | 2sb77 | ac128 transistor datasheet | c2878 transistor | 2sc732









