Справочник транзисторов. MRF517

 

Биполярный транзистор MRF517 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MRF517
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2200 MHz
   Корпус транзистора: TO39
 

 Аналог (замена) для MRF517

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF517 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:32K  advanced-semi
 mrf5175.pdf pdf_icon

MRF517

MRF5175NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI MRF5175 is Designed for High Power Class C Amplifier in, 225 PACKAGE STYLE .280 4L STUD to 400 MHz Military Communication AEquipment. 45C FEATURES:B E E Class C Operation B C PG = 11 dB at 5.0 W/400 MHz DJ Omnigold Metalization System E IFGMAXIMUM RATINGS H#8-32 UNCK

Другие транзисторы... MRF464 , MRF472 , MRF475 , MRF476 , MRF485 , MRF501 , MRF502 , MRF515 , B772 , MRF5174 , MRF5175 , MRF5176 , MRF5177 , MRF519 , MRF5211 , MRF5211LT1 , MRF525 .

History: DTC704

 

 
Back to Top

 


 
.