Справочник транзисторов. MRF5177

 

Биполярный транзистор MRF5177 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MRF5177
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
 

 Аналог (замена) для MRF5177

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF5177 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:32K  advanced-semi
 mrf5175.pdf pdf_icon

MRF5177

MRF5175NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI MRF5175 is Designed for High Power Class C Amplifier in, 225 PACKAGE STYLE .280 4L STUD to 400 MHz Military Communication AEquipment. 45C FEATURES:B E E Class C Operation B C PG = 11 dB at 5.0 W/400 MHz DJ Omnigold Metalization System E IFGMAXIMUM RATINGS H#8-32 UNCK

Другие транзисторы... MRF485 , MRF501 , MRF502 , MRF515 , MRF517 , MRF5174 , MRF5175 , MRF5176 , 2SC1815 , MRF519 , MRF5211 , MRF5211LT1 , MRF525 , MRF531 , MRF571 , MRF5711 , MRF5711LT1 .

History: 2SD728 | FMA11A | DTC717

 

 
Back to Top

 


 
.