Справочник транзисторов. MRF525

 

Биполярный транзистор MRF525 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MRF525
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Корпус транзистора: TO39
 
   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF525 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:151K  motorola
 mmbr521lt1 mrf5211lt1.pdf pdf_icon

MRF525

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBR521LT1/DThe RF LinePNP SiliconMMBR521LT1High-Frequency TransistorMRF5211LT1Designed primarily for use in the highgain, lownoise smallsignalamplifiers for operation up to 3.5 GHz. Also usable in applications requiring fastswitching times. High Current GainBandwidth Product IC = 70 mAfT

Другие транзисторы... MRF517 , MRF5174 , MRF5175 , MRF5176 , MRF5177 , MRF519 , MRF5211 , MRF5211LT1 , 2SD2499 , MRF531 , MRF571 , MRF5711 , MRF5711LT1 , MRF603 , MRF604 , MRF607 , MRF618 .

 

 
Back to Top

 


 
.