MRF5711LT1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF5711LT1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.58 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.08 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SOT143

 Аналоги (замена) для MRF5711LT1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF5711LT1 даташит

 ..1. Size:358K  motorola
 mmbr571lt1 mps571 mrf571 mrf5711lt1.pdf pdf_icon

MRF5711LT1

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBR571LT1/D The RF Line MMBR571LT1 NPN Silicon MPS571 MRF571 High-Frequency Transistors MRF5711LT1 Designed for low noise, wide dynamic range front end amplifiers and low noise VCO s. Available in a surface mountable plastic package, as well as the popular TO 226AA (TO 92) package. This Motorola series of smal

 9.1. Size:50K  njs
 mrf572.pdf pdf_icon

MRF5711LT1

Другие транзисторы: MRF5177, MRF519, MRF5211, MRF5211LT1, MRF525, MRF531, MRF571, MRF5711, 2SC2625, MRF603, MRF604, MRF607, MRF618, MRF619, MRF620, MRF621, MRF629