Биполярный транзистор MRF5711LT1 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MRF5711LT1
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.58 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.08 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: SOT143
Аналоги (замена) для MRF5711LT1
MRF5711LT1 Datasheet (PDF)
..1. Size:358K motorola
mmbr571lt1 mps571 mrf571 mrf5711lt1.pdf
mmbr571lt1 mps571 mrf571 mrf5711lt1.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBR571LT1/DThe RF LineMMBR571LT1NPN SiliconMPS571 MRF571High-Frequency TransistorsMRF5711LT1Designed for low noise, wide dynamic range frontend amplifiers andlownoise VCOs. Available in a surfacemountable plastic package, as well asthe popular TO226AA (TO92) package. This Motorola series of smal
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050