Справочник транзисторов. MRF9511ALT1

 

Биполярный транзистор MRF9511ALT1 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MRF9511ALT1
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.322 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 75
   Корпус транзистора: SOT143
 

 Аналог (замена) для MRF9511ALT1

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF9511ALT1 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:330K  motorola
 mmbr951 mrf951 mrf957 mrf9511.pdf pdf_icon

MRF9511ALT1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBR951ALT1/DThe RF LineMMBR951NPN SiliconMRF951Low Noise, High-FrequencyMRF957TransistorsMRF9511Designed for use in high gain, low noise smallsignal amplifiers. This seriesSERIESfeatures excellent broadband linearity and is offered in a variety of packages. Fully Implanted Base and Emitter Structure

 9.1. Size:171K  motorola
 mrf959t1rev0.pdf pdf_icon

MRF9511ALT1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF959T1/DThe RF LineMRF959T1NPN SiliconLow Noise TransistorsMotorolas MRF959 is a high performance silicon NPN transistor designed foruse in high gain, low noise smallsignal amplifiers. The MRF959 is well suited ICmax = 100 mAfor low voltage applications. This device features a 9 GHz DC current LOW NOISEgain

 9.2. Size:171K  motorola
 mrf959t1.pdf pdf_icon

MRF9511ALT1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF959T1/DThe RF LineMRF959T1NPN SiliconLow Noise TransistorsMotorolas MRF959 is a high performance silicon NPN transistor designed foruse in high gain, low noise smallsignal amplifiers. The MRF959 is well suited ICmax = 100 mAfor low voltage applications. This device features a 9 GHz DC current LOW NOISEgain

Другие транзисторы... MRF9411LT3 , MRF947AT1 , MRF947AT3 , MRF947BT1 , MRF947BT3 , MRF947RT3 , MRF947T1 , MRF947T3 , TIP41C , MRF9511LT1 , MRF957T1 , MRF962 , MRF965 , MSC80185 , MSC80186 , MSC80195 , MSC80196 .

History: 2SC1261S | 2SC1622D8 | 2SC1419

 

 
Back to Top

 


 
.