Справочник транзисторов. MT3002

 

Биполярный транзистор MT3002 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MT3002
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 165 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 450 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: U21
 

 Аналог (замена) для MT3002

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MT3002 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:461K  diodes
dmt3002lps.pdfpdf_icon

MT3002

DMT3002LPS Green30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8 (Type K) Product Summary Features Thermally Efficient Package Cooler Running Applications ID BVDSS RDS(ON) TC = +25C

 9.1. Size:520K  1
dmt3009lfvw-7.pdfpdf_icon

MT3002

DMT3009LFVW 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 (SWP) (Type UX) Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) Ensures On State Losses Are Minimized ID Max BVDSS RDS(ON) Max Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher TC = +25C Density End Products 11m @ VGS = 10V 50A Occupies Just 33% of The Board Area Occupied by

 9.2. Size:337K  1
dmt3006lps-13.pdfpdf_icon

MT3002

DMT3006LPS GreenN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8 Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) Minimizes On-State Losses ID max Excellent Qgd x RDS(ON) Product (FOM) BVDSS RDS(ON) max TC = +25C Advanced Technology for DC-DC Converters Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher 6m @ VGS = 10V 65A Density En

 9.3. Size:410K  1
dmt3006lfv-7.pdfpdf_icon

MT3002

DMT3006LFV 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 (Type UX) Product Summary Features Low RDS(ON) Ensures On-State Losses are Minimized ID Max BVDSS RDS(ON) Max TC = +25 Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher C Density End Products 7m @ VGS = 10V 30V 60A Occupies just 33% of the Board Area Occupied by SO-8 Enabling

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP35C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

 

 
Back to Top

 


 
.