MT3002 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MT3002  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 165 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 450 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: U21

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MT3002

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MT3002 даташит

 0.1. Size:461K  diodes
dmt3002lps.pdfpdf_icon

MT3002

DMT3002LPS Green 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8 (Type K) Product Summary Features Thermally Efficient Package Cooler Running Applications ID BVDSS RDS(ON) TC = +25 C

 9.1. Size:520K  1
dmt3009lfvw-7.pdfpdf_icon

MT3002

DMT3009LFVW 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 (SWP) (Type UX) Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) Ensures On State Losses Are Minimized ID Max BVDSS RDS(ON) Max Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher TC = +25 C Density End Products 11m @ VGS = 10V 50A Occupies Just 33% of The Board Area Occupied by

 9.2. Size:337K  1
dmt3006lps-13.pdfpdf_icon

MT3002

DMT3006LPS Green N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8 Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) Minimizes On-State Losses ID max Excellent Qgd x RDS(ON) Product (FOM) BVDSS RDS(ON) max TC = +25 C Advanced Technology for DC-DC Converters Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher 6m @ VGS = 10V 65A Density En

 9.3. Size:410K  1
dmt3006lfv-7.pdfpdf_icon

MT3002

DMT3006LFV 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 (Type UX) Product Summary Features Low RDS(ON) Ensures On-State Losses are Minimized ID Max BVDSS RDS(ON) Max TC = +25 Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher C Density End Products 7m @ VGS = 10V 30V 60A Occupies just 33% of the Board Area Occupied by SO-8 Enabling

Другие транзисторы: MT0491, MT0492, MT0493, MT1075, MT1100, MT146, MT200, MT3001, 13003, MT3011, MT4101, MT4102, MT4103, MT4104, MT6001, MT6002, MT6003