MUN2230LT1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MUN2230LT1  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 3

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MUN2230LT1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MUN2230LT1 даташит

 0.1. Size:110K  onsemi
nsvmmun2230lt1g.pdfpdf_icon

MUN2230LT1

MUN2230, MMUN2230L, MUN5230, DTC113EE, DTC113EM3, NSBC113EF3 Digital Transistors (BRT) R1 = 1 kW, R2 = 1 kW www.onsemi.com NPN Transistors with Monolithic Bias PIN CONNECTIONS Resistor Network PIN 3 COLLECTOR This series of digital transistors is designed to replace a single (OUTPUT) PIN 1 device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1 BASE Transistor (BRT)

 0.2. Size:215K  onsemi
mmun2211lt1g mmun2211lt3g mmun2212lt1g mmun2213lt1g mmun2214lt1g mmun2215lt1g mmun2216lt1g mmun2230lt1g mmun2231lt1g mmun2232lt1g mmun2233lt1g mmun2234lt1g.pdfpdf_icon

MUN2230LT1

MMUN2211LT1G Series, SMMUN2211LT1G Series, NSVMMUN2232LT1G Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor http //onsemi.com with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single PIN 3 device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor COLLECTOR R1 (OUTPUT) Transistor) contains a single transistor

Другие транзисторы: MUN2213LT1, MUN2213LT2, MUN2214LT1, MUN2214LT2, MUN2215LT1, MUN2215LT2, MUN2216LT1, MUN2216LT2, 8550, MUN2230LT2, MUN2231LT1, MUN2231LT2, MUN2232LT1, MUN2232LT2, MUN2233LT1, MUN2233LT2, MUN2234LT1