NA31XI datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: NA31XI 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 140
Корпус транзистора: TO237
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для NA31XI
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
NA31XI даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: NA31MH, NA31MI, NA31MJ, NA31MX, NA31MY, NA31X, NA31XG, NA31XH, TIP42, NA31XJ, NA31XX, NA31XY, NA31Y, NA31YG, NA31YH, NA31YI, NA31YJ
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: MJE4922 | BD538A | FCX653
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
f1010e mosfet datasheet | 2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor
