NA32XG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NA32XG  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68

Корпус транзистора: TO237

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для NA32XG

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NA32XG даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: NA32M, NA32MG, NA32MH, NA32MI, NA32MJ, NA32MX, NA32MY, NA32X, BDT88, NA32XH, NA32XI, NA32XJ, NA32XX, NA32XY, NA32Y, NA32YG, NA32YH