2N4928S - описание и поиск аналогов

 

2N4928S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N4928S

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO39-1

 Аналоги (замена) для 2N4928S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N4928S даташит

 8.1. Size:58K  central
 2n4928 2n4929 2n4930 2n4931.pdf pdf_icon

2N4928S

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 8.2. Size:16K  semelab
 2n4928csm.pdf pdf_icon

2N4928S

2N4928CSM GENERAL PURPOSE TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE MECHANICAL DATA FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS Dimensions in mm (inches) 0.51 0.10 FEATURES (0.02 0.004) 0.31 rad. (0.012) SILICON PNP TRANSISTOR 3 HERMETIC CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE (SOT23 COMPATIBLE) CECC SCREENING OPTIONS 21 SPACE QUALITY LEVELS OPTIONS

 8.3. Size:10K  semelab
 2n4928dcsm.pdf pdf_icon

2N4928S

2N4928DCSM Dimensions in mm (inches). Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 0.15 2.29 0.20 1.65 0.13 (0.055 0.006) (0.09 0.008) (0.065 0.005) Applications 2 3 1 4 Dual Bipolar PNP Devices. A 0.23 6 5 rad. (0.009) V = 100V CEO 6.22 0.13 A = 1.27 0.13 I = 0.1A C (0.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N4924S, 2N4925, 2N4925S, 2N4926, 2N4926S, 2N4927, 2N4927S, 2N4928, TIP41, 2N4929, 2N4929S, 2N4930, 2N4930S, 2N4931, 2N4931S, 2N4932, 2N4933

 

 

 

 

↑ Back to Top
.