2N4928S Todos los transistores

 

2N4928S . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N4928S
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO39-1
     - Selección de transistores por parámetros

 

2N4928S Datasheet (PDF)

 8.1. Size:58K  central
 2n4928 2n4929 2n4930 2n4931.pdf pdf_icon

2N4928S

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 8.2. Size:16K  semelab
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2N4928S

2N4928CSMGENERAL PURPOSE TRANSISTOR IN AHERMETICALLY SEALEDCERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGEMECHANICAL DATAFOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONSDimensions in mm (inches)0.51 0.10FEATURES(0.02 0.004) 0.31rad.(0.012) SILICON PNP TRANSISTOR3 HERMETIC CERAMIC SURFACE MOUNTPACKAGE (SOT23 COMPATIBLE) CECC SCREENING OPTIONS21 SPACE QUALITY LEVELS OPTIONS

 8.3. Size:10K  semelab
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2N4928S

2N4928DCSMDimensions in mm (inches). Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 0.152.29 0.20 1.65 0.13(0.055 0.006)(0.09 0.008) (0.065 0.005)Applications 2 314Dual Bipolar PNP Devices. A0.236 5rad. (0.009) V = 100V CEO6.22 0.13 A = 1.27 0.13I = 0.1A C(0.

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History: PZTA28 | 3CG953 | 2SA922-2 | 2SC2923 | BC807K-16 | 2N1683

 

 
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