2N4928S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N4928S  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 6 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO39-1

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2N4928S datasheet

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2N4928S

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

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2N4928S

2N4928CSM GENERAL PURPOSE TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE MECHANICAL DATA FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS Dimensions in mm (inches) 0.51 0.10 FEATURES (0.02 0.004) 0.31 rad. (0.012) SILICON PNP TRANSISTOR 3 HERMETIC CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE (SOT23 COMPATIBLE) CECC SCREENING OPTIONS 21 SPACE QUALITY LEVELS OPTIONS

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2N4928S

2N4928DCSM Dimensions in mm (inches). Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 0.15 2.29 0.20 1.65 0.13 (0.055 0.006) (0.09 0.008) (0.065 0.005) Applications 2 3 1 4 Dual Bipolar PNP Devices. A 0.23 6 5 rad. (0.009) V = 100V CEO 6.22 0.13 A = 1.27 0.13 I = 0.1A C (0.

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