NB012ET datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NB012ET  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для NB012ET

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NB012ET даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: NB011HV, NB011HY, NB011HZ, NB012E, NB012EI, NB012EJ, NB012EK, NB012EL, TIP120, NB012EU, NB012EV, NB012EY, NB012EZ, NB012F, NB012FI, NB012FJ, NB012FK