NB021FJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NB021FJ  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для NB021FJ

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NB021FJ даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: NB021EL, NB021ET, NB021EU, NB021EV, NB021EY, NB021EZ, NB021F, NB021FI, MJE350, NB021FK, NB021FL, NB021FT, NB021FU, NB021FV, NB021FY, NB021FZ, NB021H