NB023ET datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NB023ET  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для NB023ET

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NB023ET даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: NB022HV, NB022HY, NB022HZ, NB023E, NB023EI, NB023EJ, NB023EK, NB023EL, B772, NB023EU, NB023EV, NB023EY, NB023EZ, NB023F, NB023FI, NB023FJ, NB023FK