NB111FJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NB111FJ  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для NB111FJ

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NB111FJ даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: NB111E, NB111EH, NB111EI, NB111EJ, NB111EY, NB111F, NB111FH, NB111FI, 2N2222, NB111FY, NB111H, NB111HH, NB111HI, NB111HJ, NB111HY, NB112E, NB112EH