NB112F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NB112F  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для NB112F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NB112F даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: NB111HI, NB111HJ, NB111HY, NB112E, NB112EH, NB112EI, NB112EJ, NB112EY, TIP122, NB112FH, NB112FI, NB112FJ, NB112FY, NB112H, NB112HH, NB112HI, NB112HJ