NB113FJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NB113FJ  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для NB113FJ

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NB113FJ даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: NB113E, NB113EH, NB113EI, NB113EJ, NB113EY, NB113F, NB113FH, NB113FI, BC327, NB113FY, NB113H, NB113HH, NB113HI, NB113HJ, NB113HY, NB121E, NB121EH