NB211XG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NB211XG  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для NB211XG

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NB211XG даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: NB211H, NB211HG, NB211HH, NB211HI, NB211HJ, NB211HX, NB211HY, NB211X, C1815, NB211XH, NB211XI, NB211XJ, NB211XX, NB211XY, NB211Y, NB211YG, NB211YH