NB213XG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NB213XG  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для NB213XG

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NB213XG даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: NB213H, NB213HG, NB213HH, NB213HI, NB213HJ, NB213HX, NB213HY, NB213X, BD136, NB213XH, NB213XI, NB213XJ, NB213XX, NB213XY, NB213Y, NB213YG, NB213YH