2N4997. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2N4997
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Аналоги (замена) для 2N4997
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2N4997 даташит
2n4991.pdf
2N4991 Silicon bilateral switch (SBS) in package TO-92 0.45max 0.7max 1 5.2 2.5 2 14.5 1.6 5.2 3 4.2 Pinouts 1- Anode II, 2- Gate, 3- Anode I Ratings Symbol Parameter, units Limits IT(rms) DC forward anode current, mA 200 Igm DC gate current, mA 5 IT(sm) Peak recurrent forward current, A, (1% duty cycle, 10 sec pulse width) 1 P Power dissipation, mW 300
2n4992.pdf
2N4992 Silicon bilateral switch (SBS) in package TO-92 0.45max 0.7max 1 5.2 2.5 2 14.5 1.6 5.2 3 4.2 Pinouts 1- Anode II, 2- Gate, 3- Anode I Ratings Symbol Parameter, units Limits IT(rms) DC forward anode current, mA 200 Igm DC gate current, mA 5 IT(sm) Peak recurrent forward current, A, (1% duty cycle, 10 sec pulse width) 1 P Power dissipation, mW 300 Electri
2n4993.pdf
2N4993 Silicon bilateral switch (SBS) in package TO-92 0.45max 0.7max 1 5.2 2.5 2 14.5 1.6 5.2 3 4.2 Pinouts 1- Anode II, 2- Gate, 3- Anode I Ratings Symbol Parameter, units Limits IT(rms) DC forward anode current, mA 200 Igm DC gate current, mA 5 IT(sm) Peak recurrent forward current, A, (1% duty cycle, 10 sec pulse width) 1 P Power dissipation, mW 300
2n4990.pdf
2N4990 Silicon unilateral switch (SUS) in package TO-92 0.45max 0.7max 1 5.2 2.5 2 14.5 1.6 5.2 3 4.2 Pinouts 1- Cathode, 2- Gate, 3- Anode Ratings Symbol Parameter, units Limits Vrrm Peak reverse voltage, V -30 IT(rms) DC forward anode current, mA 175 Igm DC gate current, mA 5 IT(sm) Peak recurrent forward current, A, (1% duty cycle, 10 sec pulse width)
Другие транзисторы: 2N4980, 2N4981, 2N4982, 2N498A, 2N499, 2N4994, 2N4995, 2N4996, 2N2907, 2N4998, 2N4999, 2N499A, 2N50, 2N500, 2N5000, 2N5000SM, 2N5001
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614 | 2sa777 replacement | 2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet





