2N5023S - описание и поиск аналогов

 

2N5023S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N5023S

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO39

 Аналоги (замена) для 2N5023S

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5023S даташит

 8.1. Size:73K  central
 2n5022 2n5023.pdf pdf_icon

2N5023S

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 9.1. Size:89K  interfet
 2n5020 2n5021.pdf pdf_icon

2N5023S

Databook.fxp 1/13/99 2 09 PM Page B-18 B-18 01/99 2N5020, 2N5021 P-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor Absolute maximum ratings at TA = 25 C Analog Switches Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 50 V Continuous Forward Gate Current 50 mA Continuous Device Power Dissipation 500 mW Power Derating 4 mW/ C Storage Temperature Range 65 C to + 200 C A

Другие транзисторы... 2N5015 , 2N5015S , 2N5016 , 2N5017 , 2N501A , 2N502 , 2N5022 , 2N5023 , 13007 , 2N5024 , 2N5025 , 2N5026 , 2N5027 , 2N5028 , 2N5029 , 2N502A , 2N502B .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.