2N5023S - описание и поиск аналогов

 

2N5023S - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2N5023S
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO39

 Аналоги (замена) для 2N5023S

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5023S - технические параметры

 8.1. Size:73K  central
 2n5022 2n5023.pdf pdf_icon

2N5023S

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 9.1. Size:89K  interfet
 2n5020 2n5021.pdf pdf_icon

2N5023S

Databook.fxp 1/13/99 2 09 PM Page B-18 B-18 01/99 2N5020, 2N5021 P-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor Absolute maximum ratings at TA = 25 C Analog Switches Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 50 V Continuous Forward Gate Current 50 mA Continuous Device Power Dissipation 500 mW Power Derating 4 mW/ C Storage Temperature Range 65 C to + 200 C A

Другие транзисторы... 2N5015 , 2N5015S , 2N5016 , 2N5017 , 2N501A , 2N502 , 2N5022 , 2N5023 , 13007 , 2N5024 , 2N5025 , 2N5026 , 2N5027 , 2N5028 , 2N5029 , 2N502A , 2N502B .

 

 
Back to Top

 


 
.