NTE41 - описание и поиск аналогов

 

NTE41. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTE41

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 400

 Аналоги (замена) для NTE41

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NTE41 даташит

 0.1. Size:70K  onsemi
nta4151p nte4151p.pdfpdf_icon

NTE41

NTA4151P, NTE4151P Small Signal MOSFET -20 V, -760 mA, Single P-Channel, Gate Zener, SC-75, SC-89 Features www.onsemi.com Low RDS(on) for Higher Efficiency and Longer Battery Life Small Outline Package (1.6 x 1.6 mm) V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX SC-75 Standard Gullwing Package 0.26 W @ -4.5 V ESD Protected Gate These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and

 0.2. Size:66K  onsemi
nta4151pt1 nta4151p nte4151p.pdfpdf_icon

NTE41

NTA4151P, NTE4151P Small Signal MOSFET -20 V, -760 mA, Single P-Channel, Gate Zener, SC-75, SC-89 Features http //onsemi.com Low RDS(on) for Higher Efficiency and Longer Battery Life Small Outline Package (1.6 x 1.6 mm) V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX SC-75 Standard Gullwing Package 0.26 W @ -4.5 V ESD Protected Gate -20 V 0.35 W @ -2.5 V -760 mA Pb-Free Packages are

 0.3. Size:72K  onsemi
nta4153n nte4153n nva4153n nve4153n.pdfpdf_icon

NTE41

NTA4153N, NTE4153N, NVA4153N, NVE4153N Small Signal MOSFET 20 V, 915 mA, Single N-Channel with ESD Protection, SC-75 and SC-89 http //onsemi.com Features Low RDS(on) Improving System Efficiency V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Threshold Voltage, 1.5 V Rated 0.127 W @ 4.5 V ESD Protected Gate 0.170 W @ 2.5 V 20 V 915 mA NV Prefix for Automotive and Other Application

 0.4. Size:68K  onsemi
nta4153nt1 nta4153n nte4153n.pdfpdf_icon

NTE41

NTA4153N, NTE4153N Small Signal MOSFET 20 V, 915 mA, Single N-Channel with ESD Protection, SC-75 and SC-89 Features http //onsemi.com Low RDS(on) Improving System Efficiency Low Threshold Voltage, 1.5 V Rated V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX ESD Protected Gate 0.127 W @ 4.5 V Pb-Free Packages are Available 0.170 W @ 2.5 V 20 V 915 mA Applications 0.242 W @ 1.8 V

Другие транзисторы: NTE28, NTE302, NTE306, NTE315, NTE316, NTE330, NTE382, NTE383, BC558, NTE42, NTE43, NTE44, NTE45, NTE46, NTE48, NTE97, NTE98

 

 

 

 

↑ Back to Top
.