Биполярный транзистор P307
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: P307
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.12
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Аналоги (замена) для P307
P307
Datasheet (PDF)
0.1. Size:299K international rectifier
irfp3077pbf.pdf PD - 97126IRFP3077PbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSl Uninterruptible Power SupplyDVDSS75Vl High Speed Power SwitchingRDS(on) typ.2.8m:l Hard Switched and High Frequency Circuitsmax. 3.3m:BenefitsGl Worldwide Best RDS(on) in TO-247ID (Silicon Limited)200A cl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/d
0.2. Size:343K siemens
bup307.pdf BUP 307IGBTPreliminary data Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Avalanche ratedPin 1 Pin 2 Pin 3G C EType VCE IC Package Ordering CodeBUP 307 1200V 35A TO-218 AB Q67078-A4201-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1200 VCollector-gate voltage VCGRRGE = 20 k 1200Gate-
0.3. Size:342K siemens
bup307d.pdf BUP 307DIGBT With Antiparallel DiodePreliminary data Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Including fast free-wheel diodePin 1 Pin 2 Pin 3G C EType VCE IC Package Ordering CodeBUP 307D 1200V 35A TO-218 AB Q67040-A4221-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1200 VCollector-ga
0.4. Size:299K infineon
irfp3077pbf.pdf PD - 97126IRFP3077PbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSl Uninterruptible Power SupplyDVDSS75Vl High Speed Power SwitchingRDS(on) typ.2.8m:l Hard Switched and High Frequency Circuitsmax. 3.3m:BenefitsGl Worldwide Best RDS(on) in TO-247ID (Silicon Limited)200A cl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/d
0.7. Size:242K inchange semiconductor
irfp3077.pdf isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP3077IIRFP3077FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)3.3mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUninterruptible Power SupplyHigh Speed Power SwitchingHard Switc
Другие транзисторы... 2SA1803O
, 2SA1803R
, 2SA1804
, 2SA1804O
, 2SA1804R
, 2SA1805
, 2SA1805O
, 2SA1805R
, TIP42
, 2SA181
, 2SA1810
, 2SA1810B
, 2SA1810C
, 2SA1811
, 2SA1815
, 2SA1815-3
, 2SA1815-4
.