Биполярный транзистор 2N5070 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N5070
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 85 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO62
Другие транзисторы... 2N5059S , 2N506 , 2N5065 , 2N5066 , 2N5067 , 2N5068 , 2N5069 , 2N507 , S9013 , 2N5071 , 2N5072 , 2N5073 , 2N5074 , 2N5075 , 2N5076 , 2N5077 , 2N5079 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050