Биполярный транзистор PH2907 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PH2907
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO92
PH2907 Datasheet (PDF)
ph2907a 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186PH2907APNP switching transistor1999 Apr 27Product specificationSupersedes data of 1997 Jun 02Philips Semiconductors Product specificationPNP switching transistor PH2907AFEATURES PINNING High current (max. 600 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 60 V).1 emitter2 baseAPPLICATIONS3 collector Switc
tph2900enh.pdf
TPH2900ENHMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPH2900ENHTPH2900ENHTPH2900ENHTPH2900ENH1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 8.2 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resista
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050