Биполярный транзистор PH5416 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PH5416
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO92
PH5416 Datasheet (PDF)
ph5416 cnv 2.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186PH5416PNP high-voltage transistor1997 Apr 22Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationPNP high-voltage transistor PH5416FEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V).1 emitt
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .