PMD10K80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMD10K80

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10000

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для PMD10K80

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PMD10K80 даташит

 ..1. Size:199K  inchange semiconductor
 pmd10k80.pdf pdf_icon

PMD10K80

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlingtion Power Transistor PMD10K80 DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= 80V(Min) Complement to type PMD11K80 APPLICATIONS Designed for general purpose amplifier and low frequency switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25 ) SYMBOL PARAMETER

 8.1. Size:199K  inchange semiconductor
 pmd10k60.pdf pdf_icon

PMD10K80

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlingtion Power Transistor PMD10K60 DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= 60V(Min) Complement to type PMD11K60 APPLICATIONS Designed for general purpose amplifier and low frequency switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25 ) SYMBOL PARAMETER

 8.2. Size:199K  inchange semiconductor
 pmd10k100.pdf pdf_icon

PMD10K80

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlingtion Power Transistor PMD10K100 DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= 100V(Min) Complement to type PMD11K100 APPLICATIONS Designed for general purpose amplifier and low frequency switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25 ) SYMBOL PARAMET

 9.1. Size:1241K  magnachip
 mpmd100b120rh.pdf pdf_icon

PMD10K80

MPMD100B120RH NPT & Rugged Type 1200V IGBT Module General Description Features MagnaChip s IGBT Module 7DM-3 package BVCES= 1200V Low Conduction Loss VCE(sat) = 2.7V (typ.) devices are optimized to reduce losses and Fast & Soft Anti-Parallel FWD switching noise in high frequency power Short circuit rated Min. 10us at TC=100 Isolation Type Packa

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PMBTA56, PMBTA63, PMBTA64, PMBTA92, PMBTA93, PMD10K100, PMD10K40, PMD10K60, MPSA42, PMD11K100, PMD11K40, PMD11K60, PMD11K80, PMD12K100, PMD12K40, PMD12K60, PMD12K80