Биполярный транзистор PMD11K40 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PMD11K40
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 800
Корпус транзистора: TO3
PMD11K40 Datasheet (PDF)
pmd11k80.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor PMD11K80 DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= -80V(Min) Complement to type PMD10K80 APPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and low frequency switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25) SYMBOL PARAMETER
pmd11k100.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor PMD11K100 DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= -100V(Min) Complement to type PMD10K100 APPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and low frequency switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25) SYMBOL PARAME
pmd11k60.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor PMD11K60 DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= -60V(Min) Complement to type PMD10K60 APPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and low frequency switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25) SYMBOL PARAMETER
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
