PMD11K40 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: PMD11K40 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 800
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для PMD11K40
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
PMD11K40 даташит
pmd11k80.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor PMD11K80 DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= -80V(Min) Complement to type PMD10K80 APPLICATIONS Designed for general purpose amplifier and low frequency switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25 ) SYMBOL PARAMETER
pmd11k100.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor PMD11K100 DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= -100V(Min) Complement to type PMD10K100 APPLICATIONS Designed for general purpose amplifier and low frequency switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25 ) SYMBOL PARAME
pmd11k60.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor PMD11K60 DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= -60V(Min) Complement to type PMD10K60 APPLICATIONS Designed for general purpose amplifier and low frequency switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25 ) SYMBOL PARAMETER
Другие транзисторы: PMBTA64, PMBTA92, PMBTA93, PMD10K100, PMD10K40, PMD10K60, PMD10K80, PMD11K100, 431, PMD11K60, PMD11K80, PMD12K100, PMD12K40, PMD12K60, PMD12K80, PMD13K100, PMD13K40
History: 2N5785N1
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bf495 transistor equivalent | 2sc1313 | 2sb560 replacement | 2sd330 replacement | a1273 transistor | 2sc1384 equivalent | 2sd786 | a940 transistor
