Справочник транзисторов. PMD16K80

 

Биполярный транзистор PMD16K80 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: PMD16K80
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 220 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10000
   Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для PMD16K80

 

 

PMD16K80 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:117K  inchange semiconductor
 pmd16k60 80 100.pdf

PMD16K80 PMD16K80

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors PMD16K60/80/100 DESCRIPTION With TO-3 package High DC current gain DARLINGTON APPLICATIONS Designed for use in power switching application. PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYM

 9.1. Size:200K  inchange semiconductor
 pmd1601k.pdf

PMD16K80 PMD16K80

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlingtion Power Transistor PMD1601K DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= 60V(Min) Complement to type PMD1701K APPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and low frequency switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25) SYMBOL PARAMETER VA

 9.2. Size:200K  inchange semiconductor
 pmd1602k.pdf

PMD16K80 PMD16K80

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlingtion Power Transistor PMD1602K DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= 80V(Min) Complement to type PMD1702K APPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and low frequency switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25) SYMBOL PARAMETER VA

 9.3. Size:200K  inchange semiconductor
 pmd1603k.pdf

PMD16K80 PMD16K80

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlingtion Power Transistor PMD1603K DESCRIPTION High DC current gain Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= 100V(Min) Complement to type PMD1703K APPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and low frequency switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25) SYMBOL PARAMETER V

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , BD777 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .