PN4275 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PN4275  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.28 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PN4275

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PN4275 даташит

 ..1. Size:296K  fairchild semi
 pn4275.pdf pdf_icon

PN4275

Discrete POWER & Signal Technologies PN4275 C TO-92 B E NPN Switching Transistor This device is designed for high speed saturated switching applications at currents to 100 mA. Sourced from Process 21. See PN2369A for characteristics. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 15 V V Collector-Base Voltage

Другие транзисторы: PN4248, PN4249, PN4250, PN4250A, PN4257, PN4258, PN4258A, PN4274, 13005, PN4354, PN4355, PN4356, PN4401, PN4403, PN4888, PN4889, PN4890