PN5550R datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PN5550R  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PN5550R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PN5550R даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: PN5179, PN5400, PN5400R, PN5401, PN5401R, PN5447, PN5449, PN5550, 2N2222, PN5551, PN5551R, PN5816, PN5855, PN5856, PN5857, PN5910, PN6076