PT530-1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PT530-1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO8

 Аналоги (замена) для PT530-1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PT530-1 даташит

 9.1. Size:467K  unikc
 pt530ba.pdf pdf_icon

PT530-1

PT530BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID2 4.3m @VGS = 10V 30V 89A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC= 25 C 89 ID Continuous Drain Current2 TC= 100 C 56 A IDM 150 Pulsed Drain Curren

Другие транзисторы: PT516, PT517, PT518, PT519, PT520, PT522, PT523, PT530, BD135, PT530A, PT531, PT613, PT657, PT692, PT701, PT706, PT706-1