PTB20030. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PTB20030

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 63 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 48 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 420 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: M118

 Аналоги (замена) для PTB20030

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PTB20030 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: PTB20005, PTB20006, PTB20007, PTB20008, PTB20009, PTB20011, PTB20017, PTB20020, 2N2907, PTB20031, PTB20038, PTB20046, PTB20050, PTB20051, PTB20052, PTB20053, PTB20060