PTB20060. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PTB20060

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 330 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 930 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: 20207

 Аналоги (замена) для PTB20060

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PTB20060 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: PTB20030, PTB20031, PTB20038, PTB20046, PTB20050, PTB20051, PTB20052, PTB20053, BD136, PTB20062, PTB20071, PTB20074, PTB20077, PTB20078, PTB20081, PTB20082, PTB20091