Биполярный транзистор PTB20091 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: PTB20091
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6.7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 470 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: 20212
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам