PTB20097. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PTB20097

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 915 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: M168

 Аналоги (замена) для PTB20097

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PTB20097 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: PTB20071, PTB20074, PTB20077, PTB20078, PTB20081, PTB20082, PTB20091, PTB20095, TIP41C, PTB20101, PTB20105, PTB20110, PTB20111, PTB20125, PTB20134, PTB20135, PTB20141