Биполярный транзистор PTB20125 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: PTB20125
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 400 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1800 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: 20225
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам