PTB20125. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PTB20125

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 400 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1800 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: 20225

 Аналоги (замена) для PTB20125

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PTB20125 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: PTB20082, PTB20091, PTB20095, PTB20097, PTB20101, PTB20105, PTB20110, PTB20111, C945, PTB20134, PTB20135, PTB20141, PTB20144, PTB20145, PTB20146, PTB20147, PTB20148