PTB20146. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PTB20146

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1800 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: 20208

 Аналоги (замена) для PTB20146

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PTB20146 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: PTB20110, PTB20111, PTB20125, PTB20134, PTB20135, PTB20141, PTB20144, PTB20145, C5198, PTB20147, PTB20148, PTB20151, PTB20152, PTB20156, PTB20157, PTB20159, PTB20162