Биполярный транзистор PTB20159 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: PTB20159
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 850 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6.2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: M118
     - подбор биполярного транзистора по параметрам