PTB20167. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PTB20167

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 127 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 850 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: M169

 Аналоги (замена) для PTB20167

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PTB20167 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: PTB20151, PTB20152, PTB20156, PTB20157, PTB20159, PTB20162, PTB20165, PTB20166, TIP42C, PTB20169, PTB20170, PTB20171, PTB20173, PTB20174, PTB20175, PTB20176, PTB20177