PTB20176. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PTB20176

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 21 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1700 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: M118

 Аналоги (замена) для PTB20176

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PTB20176 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: PTB20166, PTB20167, PTB20169, PTB20170, PTB20171, PTB20173, PTB20174, PTB20175, 13003, PTB20177, PTB20179, PTB20181, PTB20183, PTB20187, PTB20189, PTB20191, PTB20193