PTB20177. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PTB20177

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 330 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 925 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: 20224

 Аналоги (замена) для PTB20177

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PTB20177 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: PTB20167, PTB20169, PTB20170, PTB20171, PTB20173, PTB20174, PTB20175, PTB20176, 2SD1047, PTB20179, PTB20181, PTB20183, PTB20187, PTB20189, PTB20191, PTB20193, PTB20195