PTB20179. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PTB20179

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1800 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: 20227

 Аналоги (замена) для PTB20179

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PTB20179 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: PTB20169, PTB20170, PTB20171, PTB20173, PTB20174, PTB20175, PTB20176, PTB20177, 2SC2073, PTB20181, PTB20183, PTB20187, PTB20189, PTB20191, PTB20193, PTB20195, PTB20200