PTB20189. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PTB20189

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 11 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 900 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: 20227

 Аналоги (замена) для PTB20189

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PTB20189 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: PTB20174, PTB20175, PTB20176, PTB20177, PTB20179, PTB20181, PTB20183, PTB20187, S8550, PTB20191, PTB20193, PTB20195, PTB20200, PTB20202, PTB20204, PTB20206, PTB20216