R8305. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: R8305

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

 Аналоги (замена) для R8305

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

R8305 даташит

 0.1. Size:162K  fairchild semi
 fdr8305n.pdf pdf_icon

R8305

November 1999 FDR8305N Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET General Description Features These N-Channel 2.5V specified MOSFETs are produced 4.5 A, 20 V. RDS(ON) = 0.022 @ VGS = 4.5 V using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench RDS(ON) = 0.028 @ VGS = 2.5 V. process that has been especially tailored to minimize the on-state resis

Другие транзисторы: R7249, R7360, R7887, R8066, R8070, R8118, R8224, R8259, 2SC2383, R8552, R8556, R8647, R8915, R8966, R9006, RCA1000, RCA1001