RCS258. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RCS258

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.2 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для RCS258

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RCS258 даташит

 9.1. Size:2502K  blue-rocket-elect
 brcs250c03mf.pdf pdf_icon

RCS258

BRCS250C03MF Rev.A Mar.-2023 DATA SHEET / Descriptions SOT23-6 Complementary Enhancement MOSFET in a SOT23-6 Plastic Package / Features N-channel P-channel VDS(V)=30V VDS(V)=-30V ID=5.5A ID=-4.0A R DS(ON)@-10V

 9.2. Size:1129K  blue-rocket-elect
 brcs250n10syb.pdf pdf_icon

RCS258

 9.3. Size:1431K  blue-rocket-elect
 brcs250c03ya.pdf pdf_icon

RCS258

 9.4. Size:915K  blue-rocket-elect
 brcs250n03ya.pdf pdf_icon

RCS258

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: RCP704, RCP704B, RCP705, RCP705B, RCP706, RCP706B, RCP707, RCP707B, 2SD1047, RCS29, RCS30, RCS31, RCS32, RCS579, RCS617, RCS618, RCS880