Биполярный транзистор RCS258
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: RCS258
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.2
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора:
TO3
Аналоги (замена) для RCS258
RCS258
Datasheet (PDF)
9.1. Size:2502K blue-rocket-elect
brcs250c03mf.pdf BRCS250C03MF Rev.A Mar.-2023 DATA SHEET / Descriptions SOT23-6 Complementary Enhancement MOSFET in a SOT23-6 Plastic Package / Features N-channel P-channel VDS(V)=30V VDS(V)=-30V ID=5.5A ID=-4.0A R DS(ON)@-10V
9.2. Size:1129K blue-rocket-elect
brcs250n10syb.pdf BRCS250N10SYB Rev.A Jun.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN 33A-8L N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a PDFN 33A-8L Plastic Package. / Features VDS (V) = 100V ID =22A (VGS = 20V) RDS(ON)@10V25mR(Typ.20mR) HF Product. / Applications DC/DC AC/DC
9.3. Size:1431K blue-rocket-elect
brcs250c03ya.pdf BRCS250C03YA Rev.A Nov.-2021 DATA SHEET / Descriptions PDFN33-8L MOS ComplementaryEnhancementMOSFETinaPDFN33-8LPlasticPackage. / Features N-channel P-channel VDS(V)=30V VDS(V)=-30V ID=20A ID=-12A RDS(ON)
9.4. Size:915K blue-rocket-elect
brcs250n03ya.pdf BRCS250N03YA Rev.A Feb.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN33-8L N MOS DoubleN-CHANNELMOSFETinaPDFN33-8LPlasticPackage. / Features N-channel VDS(V)=30V ID=20A RDS(ON)
9.5. Size:2434K blue-rocket-elect
brcs25n60ph.pdf BRCS25N60PH Rev.A Mar.-2020 DATA SHEET / Descriptions N TO-3PH N-Channel MOSFET in a TO-3PH Plastic Package. / Features Crss (85pF)dv/dt Low gate charge, Low Crss (typical 85pF ), Fast switching, 100% avalanche tested,Improved dv/dt
9.6. Size:1365K blue-rocket-elect
brcs250n03dmf.pdf BRCS250N03DMF Rev.A Nov.-2021 DATA SHEET / Descriptions SOT23-6 N MOS Dual N-Channel MOSFET in a SOT23-6 Plastic Package. / Features Super high dense cell design for low R ,Rugged and reliable,HF product. DS(ON) / Applications
9.7. Size:1393K blue-rocket-elect
brcs250n03dsc.pdf BRCS250N03DSC Rev.A Jun.-2023 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 N MOS Double N-CHANNEL MOSFET in a SOP-8 Plastic Package. / Features V (V)=30V I =7.5A DS DRDS(ON)@10V
9.8. Size:2335K blue-rocket-elect
brcs250n10sip.pdf BRCS250N10SIP Rev.A Oct.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features V (V) = 100V I =37A (V = 20V) DS D GS RDS(ON)@10V25mR(Typ.20mR) RDS(ON)@4.5V35mR(Typ.25mR) HF Product. / Applications LED
9.9. Size:2301K blue-rocket-elect
brcs250n10sdp.pdf BRCS250N10SDP Rev.A Jun.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features V (V) = 100V I =37A (V = 20V) DS D GS RDS(ON)@10V25mR(Typ.20mR) RDS(ON)@4.5V35mR(Typ.25mR) HF Product. / Applications LED
Другие транзисторы... 2N3200
, 2N3201
, 2N3202
, 2N3203
, 2N3204
, 2N3205
, 2N3206
, 2N3207
, B772
, 2N3209
, 2N3209AQF
, 2N3209CSM
, 2N3209DCSM
, 2N3209L
, 2N321
, 2N3210
, 2N3211
.