RT5230. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT5230

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для RT5230

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT5230 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: RT3565, RT4761, RT484, RT497M, RT498M, RT5152, RT5202, RT5207, 2SC828, RT5402, RT5418, RT656M, RT657M, RT679M, RT69221, RT696M, RT697M