Биполярный транзистор 2N5130 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N5130
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 450 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 12
Корпус транзистора: TO106
Другие транзисторы... 2N5125 , 2N5126 , 2N5127 , 2N5128 , 2N5129 , 2N512A , 2N512B , 2N513 , BC327 , 2N5131 , 2N5132 , 2N5133 , 2N5134 , 2N5135 , 2N5136 , 2N5137 , 2N5138 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050