2N5130. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2N5130
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 450 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 12
Корпус транзистора: TO106
Аналоги (замена) для 2N5130
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2N5130 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: 2N5125, 2N5126, 2N5127, 2N5128, 2N5129, 2N512A, 2N512B, 2N513, 2SC4793, 2N5131, 2N5132, 2N5133, 2N5134, 2N5135, 2N5136, 2N5137, 2N5138
History: ERS100 | 2N68 | 2SB1121U | 2SB173 | BSS75 | 2SC3488G | 2SB178
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1327 | 2sc3855 | 2sc945 transistor equivalent | 2sd427 | mje15032 equivalent | 2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent | 2sc871 replacement